%0 Journal Article %T اصلاح غشای پلی‌اترسولفون (P‌E‌S) با استفاده از نانوذرات مغناطیسی آهن عامل‌دار شده با گروه آمینی به منظور نانوفیلتراسیون پساب حاوی رنگزای ۱۹R‌G %J مجله ی مهندسی عمران شریف %I دانشگاه صنعتی شریف %Z 2676-4768 %A کولیوند, حبیب %A شهبازی, افسانه %A وطن پور, وحید %D 2020 %\ 11/21/2020 %V 36.2 %N 3.1 %P 151-157 %! اصلاح غشای پلی‌اترسولفون (P‌E‌S) با استفاده از نانوذرات مغناطیسی آهن عامل‌دار شده با گروه آمینی به منظور نانوفیلتراسیون پساب حاوی رنگزای ۱۹R‌G %K نانوفیلتراسیون %K نانوذرات $F‌e_{3}O_{4}$ %K A‌P‌T‌E‌S %K پلی‌اترسولفون %K حذف رنگ %R 10.24200/j30.2019.52776.2508 %X تأثیر افزودن نانوذرات مغناطیسی آهن ($F‌e_{3}O_{4}$) و نانوذرات مغناطیسی آهن عامل‌دار شده با گروه آمینی ($F‌e_{3}O_{4}-A‌P‌T‌E‌S$) بر عملکرد غشای P‌E‌S از طریق بررسی ریخت‌شناسی، آب‌دوستی، شار، خواص ضدگرفتگی و بازده جداسازی رنگ‌زای ۱۹R‌G بررسی شد. افزایش نسبت وزنی $F‌e_{3}O_{4}$ در محلول بسپار از صفر به ۰٫۲۵ و سپس ۰٫۵۰ درصد، علاوه بر افزایش آب‌دوستی، باعث افزایش شار آب مقطر از ۳۶٫۱ به ۵۹٫۷ و سپس $80.4\,L/m^{2}{h}$ شد. این میزان برای غشای ${F‌e_{3}O_{4}-A‌P‌T‌E‌S}$ به $92.9\,L/m^{2}h$ افزایش یافت. میزان گرفتگی کل برای غشای B‌a‌r‌e P‌E‌S ۵۴٫۰ درصد به دست آمد که این مقدار برای غشاهای اصلاح شده با $F‌e_{3}O_{4}$ و $F‌e_{3}O_{4}-A‌P‌T‌E‌S$ به ترتیب به ۳۱٫۹ و ۲۶٫۸ درصد رسید. از طرفی افزایش مقدار F‌R‌R از ۵۸٫۶ برای B‌a‌r‌e P‌E‌S به ۸۰٫۹ و ۸۳٫۵ درصد برای غشاهای $F‌e_{3}O_{4}$ و $F‌e_{3}O_{4}-A‌P‌T‌E‌S$ تأییدکننده‌ی خواص ضدگرفتگی مطلوب غشاهای اصلاح شده بود. کارایی بالای حذف رنگ ۱۹R‌G (بالای ۹۵ درصد) با غلظت اولیه‌ی ۱۰۰ میلی‌گرم برلیتر، بیانگر عملکرد فیلتراسیون مطلوب غشاهای اصلاح شده بود. در نهایت نتایج تحقیق حاضر کارایی بالای نانوذرات $F‌e_{3}O_{4}$ و $F‌e_{3}O_{4}-A‌P‌T‌E‌S$ را برای اصلاح غشاهای پلیمری نشان داد. %U https://sjce.journals.sharif.edu/article_21580_b6db343e7e2dd202e05f8e3c5d8b99b3.pdf